Sari direct la conținut

Samsung a prezentat la târgul CES Las Vegas telefonul mai accesibil la preț Galaxy S21 FE

HotNews.ro
Samsung Galaxy S21 FE, Foto: Samsung
Samsung Galaxy S21 FE, Foto: Samsung

​Samsung a lansat la târgul CES Las Vegas versiunea FE (Fan Edition) a smartphone-ului de vârf de gamă Galaxy S21. Despre S21 FE s-a vorbit mult anul trecut, mai ales că prima ediție FE a fost lansată în vara lui 2020 și a avut mare succes pentru că avea multe în comun cu S20, dar prețul era mult mai mic.

S21 FE are ecran de 6,4 inci, 120 Hz, iar procesorul este Snapdragon 888 în SUA și Exynos în alte regiuni.

Camera principală este triplă de 12 MP, f/1.8, cu stabilizare optică, 64 MP, f/2.0, 29mm (telephoto) și 12 MP, f/2.2, 13mm, 120˚ (ultrawide), iar cea frontală este de 10 MP, f/2.2, 26mm (wide).

Telefonul cântărește 169 de grame.

Bateria are o capacitate de 4.500 mAh, față de 4.000 mAh la S21. Noul FE permite încărcare rapidă la 25W și încărcare wireless la 15W. Ecranul de 6,4 inci de la S21 FE este mai mare decât la S21 care are 6,2 inci.

Prețul de pornire în SUA este de 699 dolari în varianta de 128 GB, iar soft-ul este Android 12. Există și o versiune cu 8 GB RAM și 256 GB stocare, cu un preț de 799 dolari. S21 clasic are 8 GB RAM. S21 clasic costă în SUA de la 799 dolari.

Diferențele față de S21 nu sunt mari la S21 FE: spre exemplu S21 are 8 GB RAM, în timp ce varianta FE pornește de la 6 GB RAM.

”Noul S21 FE 5G vine cu un design premium, caracteristic seriei Galaxy S21; cadrul iconic, cu un contur bine definit, preferat de fanii Samsung, se integrează perfect cu camera S21 FE 5G și oferă un aspect elegant și unitar. Samsung le oferă consumatorilor mai multe modalități de a se exprima cu patru opțiuni de culoare noi — Olive, Lavender, White sau Graphite — ce includ un finisaj elegant de culoare mată. Galaxy S21 FE 5G are un design elegant și subțire, cu o grosime de 7,9 mm, astfel încât să fie ușor de ținut în buzunar și să fie compatibil cu un stil de viață dinamic”, spune compania

ARHIVĂ COMENTARII
INTERVIURILE HotNews.ro